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产品介绍
SiC 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
碳化硅原材料核心优势体现在：
- 耐高压： 更低的阻抗、更宽的禁带宽度，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；
- 耐高频： SiC 器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度 ( 大约是 Si 的 3-10 倍 )，适用于更高频率和更快的开关速度；
- 耐高温： SiC 相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。
相比传统的硅材料 (Si)，碳化硅 (SiC) 的禁带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；击穿电压为硅的 8-10 倍；电子饱和漂移速率为硅的 2-3 倍。
碳化硅 - 陶瓷
碳化硅陶瓷作为一种高性能结构陶瓷材料，由于其晶体结构和Si-C键的高度共价特性(~88%)，碳化硅陶瓷具有金属等结构材料无法比拟的优异综合性能：
- 高温强度高、高温蠕变小，适应各种高温环境；
- 低热膨胀系数、高热传导率，具有优良抗热冲击性；
- 化学稳定性高，耐腐蚀性能优异；
- 高硬度，较低的摩擦系数，优异的耐磨性；
- 低密度、高弹性模量；
- 电性能可通过掺杂来实现其绝缘、半导体到导体的转变；
- 具有优良的化学稳定性和高温相稳定性，耐腐蚀。
碳化硅反射镜
SiC 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
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